收藏本站
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2300UFD
1.7
V GS = 2.5V
I D = 500mA
0.6
1.5
1.3
V GS = 4.5V
I D = 1.0A
0.5
0.4
V GS = 1.5V
I D = 50mA
V GS = 1.8V
I D = 100mA
V GS = 1.8V
I D = 100mA
1.1
V GS = 1.5V
0.3
0.9
I D = 50mA
0.2
V GS = 4.5V
0.7
0.1
V GS = 2.5V
I D = 1.0A
I D = 500mA
0.5
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.2
1.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 On-Resistance Variation with Temperature
2.0
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 11 On-Resistance Variation with Temperature
0.8
I D = 1mA
1.2
T A = 25°C
0.6
I D = 250μA
0.8
0.4
0.2
0.4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 12 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
100,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 13 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 125°C
10,000
T A = 150°C
100
1,000
T A = 125°C
T A = 85°C
100
T A = 85°C
T A = 25°C
10
T A = 25°C
T A = -55°C
10
T A = -55°C
1
2
4
6 8 10 12 14 16 18
20
1
2
4 6 8 10 12
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 14 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.15 Leakage Current vs. Gate-Source Voltage
DMN2300UFD
Datasheet Number: DS35443 Rev. 2 - 2
5 of 7
www.diodes.com
September 2011
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN2400UFB-7 MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3
DMN2400UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
DMN2500UFB4-7 MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3
DMN26D0UDJ-7 MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963
DMN26D0UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
DMN26D0UT-7 MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
DMN2990UDJ-7 MOSFET DL NCH 20V 450MA SOT-963
相关代理商/技术参数
DMN2300UFL4-7 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2400UFB4 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN2400UFB4-7 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN1006-H43 GREEN 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2400UFB4-7B 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN-H4 T/R
DMN2400UFB-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2400UFD-7 功能描述:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN2400UV 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN2400UV-13 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R